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需要高精度镜头和高精度对准技术

时间:2018-12-02 10:02

来源:未知作者:admin点击:

  在经过和行业内专家进行了一番交谈之后,本文将对这个报道和产品进行一个全面的解析。在开始之前,先纠正一下文章开头出现的常识性描述:
 
  行业内专家告诉记者,文章开头谈到的“光刻分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10纳米级别的芯片”的说法是错误的。
 
  他指出,如果真的能做22nm的线宽,不用多次成像了,单次曝光就可以做10nm了。因为就design rule而言,10nm的metal层最紧的也只有44nm pitch,22nm CD,一次成像就够用了。就算是poly 66nm pitch,单次成像也足够了。况且10nm的Fin 本来就要用SAQP也只需要单次曝光,现在可以回到14nm的SADP,Fin pitch一般是36nm和33nm,所以真能做的22nm线宽,44nm pitch,做啥layer都可以只用一次就够了。
 
  下面我们从技术面入手,解构这个产品和报道。
 
  这是个什么技术?
 
  在文章中,作者已经提到,这个设备采用的是什么技术。他在文章中写到:“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备,打破了传统路线格局,形成了一条全新的纳米光学光刻技术路线,具有完全自主知识产权,为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具”。
 
  所谓表面等离子体超分辨光刻,也就是surface plasma,我们也把其称之为表面等离子超衍射光刻,这是最近十几年兴起的新技术。据行业人士告诉半导体行业观察记者,这种光刻的工作原理是入射光照射在透镜表面的小探针上,从而激发产生plasma,产生波长非常短的等离子体,然后在光刻胶上刻出非常小的图形。
 
  关于这个技术,中科院王长涛、赵泽宇、高平、罗云飞和罗先刚在其写于2016年的一篇名为《表面等离子体超衍射光学光刻》的文章中提到:由于光波衍射特性,传统光学光刻面临分辨力衍射极限限制,成为传统光学光刻技术发展的原理性障碍。表面等离子体(surface plasmon,SP)是束缚在金属介质界面上的自由电子密度波,具有突破衍射极限传输、汇聚和成像的独特性能。近年来,通过研究和利用SP超衍射光学特性,科研人员提出和建立了基于SP的纳米干涉光刻、成像光刻、直写光刻等方法,在紫外光源和单次曝光条件下,获得了突破衍射极限的光学光刻分辨力。目前,基于SP成像结构,实验中获得了22 nm(-1/17波长)最高SP成像光刻线宽分辨力水平。SP将为发展高分辨、低成本、高效、大面积纳米光学光刻技术提供重要方法和技术途径。再者,这一技术并非中国首创,国外有很多实验室也做出了成品验证机,效果还优于中科院,甚至都达不到国际领先的程度。
 
  这个新闻出来了以后,引发了媒体和群众的广泛讨论,在水木社区我们也看到了一个转载自知乎的、自称光电所的人的回复,回复中说到:
 
  我就是光电所的,我们这个设备实现了激光束22纳米(国内肯定是领先的,当然国际上落后),可以做简单的线,点,光栅部件,拿来做刻芯片这种超级复杂的ic制造是完全没有可能的,那个难度是画简单线的十万倍,因为还需要高精度镜头和高精度对准技术,我们这个设备立项本来就不是拿来刻芯片的,有人说我们骗,我们光电所什么时候宣传过这个设备可以刻芯片了?都是外界一些什么都不懂的外行,包括媒体,一厢情愿的以为这个就是芯片厂的光刻机,和我们没有任何关系。饭要一口一口吃,我们已经是国内做得最好的了。
 
  笔者在知乎上找不到相关回答,也没求证过回答者的身份。但假设这个答主真的是光电所的人,这样直接甩锅给媒体的说法,笔者是有点不认同的。近日,又一篇文章刷爆了半导体人的朋友圈。
 
  据军报记者成都报道,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收,这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10纳米级别的芯片。详情可看半导体行业观察昨日的报道《国产超分辨光刻装备通过验收,可加工22纳米芯片》
 
  这则消息出来了以后,不但让整个媒体界疯狂,类似“中国光刻机终于突破了欧美限制”、“中国集成电路最关键领域终于突破”之类报道也频频见于各个微信圈和好友的朋友圈,也有不少的行内朋友问半导体行业观察记者,这个产品是否是真的那么厉害。
 
  
【责任编辑:admin】
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